普泰克-高低温测试探针台典型应用场景

四、典型应用场景

1. 半导体器件可靠性测试

• 汽车电子芯片：在 - 40℃~+125℃下测试 MCU 的时钟稳定性（如英飞凌 AURIX 系列芯片需通过 AEC-Q100 认证）；

• 功率器件：IGBT 在高温（+175℃）下的导通电阻变化测试，评估热失控风险。

2. 先进材料与器件研发

• 量子比特芯片：在液氦温度（-269℃）下测试超导量子干涉器（SQUID）的量子隧穿效应；

• 宽禁带半导体：SiC MOSFET 在 + 200℃下的击穿电压测试（传统 Si 器件仅能承受 + 150℃）。

3. MEMS 与传感器测试

• 压力传感器：在 - 20℃~+85℃下校准温度漂移系数（如博世 BMP388 气压传感器需补偿温漂）；

• 红外探测器：低温（-150℃）下降低热噪声，提升探测灵敏度。

五、操作流程与安全规范

1. 测试前准备

• 样品预处理：在室温下固定于样品台，确保热传导良好（使用导热硅脂或夹具）；

• 探针校准：通过标准电阻（如 1Ω、100Ω）校准接触电阻，避免测量误差。

2. 温控操作要点

• 超过 + 150℃时需使用隔热挡板，防止探针支架变形；

• 升温速率不超过 10℃/min，避免样品热应力开裂。

• 穿戴防冻手套，避免液氮溅到皮肤（冻伤温度 <-150℃）；

• 保持腔体通风，防止液氮挥发导致氧气浓度低于 19.5%（窒息风险）；

• 液氮使用安全：

• 高温防护：

3. 数据采集与分析

• 温度系数（TC）：ΔV/ΔT（如 MOSFET 阈值电压 TC≈-2.5mV/℃）；

• 热阻（Rth）：通过结温 - 功耗曲线计算（如 LED 芯片 Rth<5℃/W）。

• 使用源表（如 Keithley 4200）同步记录温度 - 电性能曲线，典型测试项目：