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普泰克 等离子体增强沉积温度控制
产品简介:

普泰克 等离子体增强沉积温度控制,它负责给反应腔、基座、射频部件、真空系统和整机冷却回路提供恒温、恒流、恒压的导热介质,实现制冷、加热、恒温、程序控温和闭环换热。

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更新时间:2026-10-19

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产品介绍
普泰克 等离子体增强沉积温度控制,而是普泰克面向 PECVD、PE-ALD 等等离子体增强沉积工艺配置的精密温控系统/TCU/Chiller。它负责给反应腔、基座、射频部件、真空系统和整机冷却回路提供恒温、恒流、恒压的导热介质,实现制冷、加热、恒温、程序控温和闭环换热。

这台设备具体能干什么

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能干什么对等离子体增强沉积的价值
稳定反应腔/腔壁温度带走腔体、电极、夹套等部位热负荷,降低热漂移,有助于维持沉积过程稳定。
为基座/静电吸盘提供换热介质维持基座换热回路温度稳定,提升晶圆/样品温度一致性。
为射频电源与匹配网络散热维持 RF 部件工作温度,减少热波动对功率输出的影响。
为真空系统提供冷却水支持干泵、分子泵、机械泵等连续稳定运行。
支持升温、恒温、降温切换一台设备同时具备制冷和加热能力,可适配不同工艺阶段。
执行程序化温度曲线可按设定曲线完成升温、保温、降温,便于工艺调试和重复性验证。
管理整机工艺冷却水回路降低厂务水温波动对沉积设备运行的影响。
用于研发、中试和产线配套在设备开发、热负荷评估和工艺窗口筛选阶段提供可复现的温控条件。

普泰克 等离子体增强沉积温度控制,为什么等离子体增强沉积需要精密温控

等离子体增强沉积虽然可以在较低温度下成膜,但衬底温度、腔体温度、射频部件温度和冷却水温度仍会影响沉积速率、薄膜均匀性、应力状态和工艺重复性。 普泰克半导体级温控产品控温精度可达 ±0.1℃,温域覆盖 -150℃ 至 350℃,采用全密闭回路、自适应 PID 控制和模块化配置,能够较好匹配沉积设备对温度稳定性、响应速度和连续运行的要求。

普泰克 等离子体增强沉积温度控制


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