普泰克 PECVD氧化硅沉积温控，PECVD SiO₂薄膜沉积工艺配置的精密温控设备，通常以冷水机、加热冷却一体机、高低温循环器或TCU形式出现。它不直接完成氧化硅成膜，而是为PECVD机台提供稳定的工艺冷却水/导热介质，承担制冷、加热、恒温、程序控温和循环换热任务。

Name: 普泰克 PECVD氧化硅沉积温控
Brand: proteco/普泰克
Price: 39000 CNY
Availability: InStock

产品型号：

更新时间：2026-10-19

厂商性质：生产厂家

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半导体高低温测试机

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产品介绍

普泰克 PECVD氧化硅沉积温控，是面向 PECVD SiO₂薄膜沉积工艺配置的精密温控设备，通常以冷水机、加热冷却一体机、高低温循环器或TCU形式出现。它不直接完成氧化硅成膜，而是为PECVD机台提供稳定的工艺冷却水/导热介质，承担制冷、加热、恒温、程序控温和循环换热任务。

这台设备具体能干什么

表格

能干什么	对氧化硅沉积工艺的价值
稳定反应腔/腔壁温度	带走腔体、电极、夹套等部位热负荷，降低热漂移，有助于维持沉积过程稳定。
为基座/静电吸盘提供换热介质	维持基座换热回路温度稳定，提升晶圆/样品温度一致性。
为射频电源与匹配网络散热	维持RF部件工作温度，减少热波动对功率输出和等离子体稳定性的影响。
为真空系统提供冷却水	支持干泵、分子泵、机械泵等连续稳定运行。
支持升温、恒温、降温切换	一台设备同时具备制冷和加热能力，可适配氧化硅沉积、保温和工艺切换阶段。
执行程序化温度曲线	可按设定曲线完成升温、保温、降温，便于工艺调试、重复性验证和批次一致性管理。
管理整机工艺冷却水回路	降低厂务水温波动对PECVD设备运行的影响。
用于研发、中试和产线配套	在设备开发、热负荷评估、工艺窗口筛选阶段提供可复现的温控条件。

普泰克 PECVD氧化硅沉积温控，为什么氧化硅沉积对温控要求较高

PECVD氧化硅沉积通常在 200-400℃ 范围内进行，常见工艺包括 SiH₄/N₂O 体系和 TEOS 体系。衬底温度会影响沉积速率、薄膜密度、折射率、应力状态和均匀性；腔体温度漂移可能引起工艺窗口变化；射频部件温度波动也可能影响等离子体稳定性。普泰克半导体级温控产品控温精度可达 ±0.1℃，温域覆盖 -150℃至350℃，采用全密闭回路、自适应PID控制和模块化配置，能够较好匹配氧化硅沉积对温度稳定性、响应速度和连续运行的要求。

普泰克 PECVD氧化硅沉积温控