普泰克 PECVD非晶硅沉积温控，PECVD非晶硅薄膜沉积工艺配置的精密温控设备，通常以冷水机、加热冷却一体机、高低温循环器或TCU形式出现。它不直接完成非晶硅成膜，而是为PECVD机台提供稳定的工艺冷却水/导热介质，承担制冷、加热、恒温、程序控温和循环换热任务。

Name: 普泰克 PECVD非晶硅沉积温控
Brand: proteco/普泰克
Price: 39000 CNY
Availability: InStock

产品型号：

更新时间：2026-10-19

厂商性质：生产厂家

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半导体高低温测试机

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产品介绍

普泰克 PECVD非晶硅沉积温控，是面向 PECVD非晶硅薄膜沉积工艺配置的精密温控设备，通常以冷水机、加热冷却一体机、高低温循环器或TCU形式出现。它不直接完成非晶硅成膜，而是为PECVD机台提供稳定的工艺冷却水/导热介质，承担制冷、加热、恒温、程序控温和循环换热任务。

这台设备具体能干什么

表格

能干什么	对非晶硅沉积工艺的价值
稳定反应腔/腔壁温度	带走腔体、电极、夹套等部位热负荷，降低热漂移，有助于维持沉积过程稳定。
为基座/静电吸盘提供换热介质	维持基座换热回路温度稳定，提升晶圆/样品温度一致性。
为射频电源与匹配网络散热	维持RF部件工作温度，减少热波动对功率输出和等离子体稳定性的影响。
为真空系统提供冷却水	支持干泵、分子泵、机械泵等连续稳定运行。
支持升温、恒温、降温切换	一台设备同时具备制冷和加热能力，可适配非晶硅沉积、保温和工艺切换阶段。
执行程序化温度曲线	可按设定曲线完成升温、保温、降温，便于工艺调试、重复性验证和批次一致性管理。
管理整机工艺冷却水回路	降低厂务水温波动对PECVD设备运行的影响。
用于研发、中试和产线配套	在设备开发、热负荷评估、工艺窗口筛选阶段提供可复现的温控条件。

普泰克 PECVD非晶硅沉积温控，为什么非晶硅沉积对温控比较敏感

PECVD非晶硅沉积温度通常在 200–350℃ 范围内，部分柔性基底工艺可降至 150℃以下。衬底温度会影响表面原子迁移率、氢脱附速率、沉积速率、薄膜致密度、缺陷态密度和应力状态；温度过高可能导致基材热变形或薄膜应力集中，温度过低则容易形成微空洞。同时，腔体温度漂移和射频部件温度波动也可能影响等离子体稳定性和工艺重复性。

普泰克半导体级温控产品控温精度可达 ±0.1℃，温域覆盖 -150℃至350℃，采用全密闭回路、自适应PID控制和模块化配置，能够较好匹配非晶硅沉积对温度稳定性、响应速度和连续运行的要求。

普泰克 PECVD非晶硅沉积温控