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普泰克 PECVD晶圆预热温控
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普泰克 PECVD晶圆预热温控,PECVD晶圆入腔预热/基座升温阶段配置的精密温控设备,通常以加热冷却一体机、高低温循环器或TCU形式出现。它不直接完成薄膜沉积,而是为晶圆载台、静电吸盘、预热炉或预热模块提供稳定的导热介质,承担快速升温、恒温保持、程序控温和循环换热任务。

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更新时间:2026-10-19

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产品介绍
普泰克 PECVD晶圆预热温控,是面向 PECVD晶圆入腔预热/基座升温阶段配置的精密温控设备,通常以加热冷却一体机、高低温循环器或TCU形式出现。它不直接完成薄膜沉积,而是为晶圆载台、静电吸盘、预热炉或预热模块提供稳定的导热介质,承担快速升温、恒温保持、程序控温和循环换热任务。

这台设备具体能干什么

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能干什么对晶圆预热阶段的价值
控制晶圆/载台升温速率按设定曲线匀速升温,避免晶圆因骤热产生热应力或开裂。
维持预热恒温段稳定在沉积前保持基座温度稳定,使晶圆进入沉积阶段时温度一致。
提升晶圆入腔温度一致性减少冷晶圆直接入腔造成的温度波动,降低薄膜性能偏差。
为静电吸盘/加热盘提供换热介质维持ESC或加热盘温度均匀性,提升片内温度一致性。
支持多段预热曲线可配置预热、保温、缓升等多阶段温度曲线,便于工艺调试。
快速响应温度变化采用自适应PID控制,在等离子体放热或负载变化时快速回稳。
冷却预热设备辅助部件为预热炉外壳、密封件或真空部件提供冷却支持。
用于研发、中试和产线配套在预热工艺窗口筛选、升温速率优化阶段提供可复现的温控条件。

普泰克 PECVD晶圆预热温控,为什么预热阶段需要精密温控

PECVD沉积前,晶圆通常需要从室温或低温状态升至工艺温度。若升温过快,可能导致晶圆热应力集中;若升温过慢,则影响节拍;若预热后温度不稳定,进入沉积阶段时薄膜初始性能容易出现偏差。 普泰克半导体级温控产品控温精度可达 ±0.1℃,温域覆盖 -150℃至350℃,采用全密闭回路、自适应PID控制和程序化曲线控制,能够较好匹配预热阶段对升温速率、温度稳定性和重复性的要求。

普泰克 PECVD晶圆预热温控


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