普泰克 远程等离子体PECVD温控,主要用于为 RPECVD / 远程等离子体沉积设备提供基座/卡盘、反应腔、喷淋头、远程等离子体源、匹配网络及真空系统的加热、冷却和温度管理。它不直接产生远程等离子体,也不直接完成薄膜沉积,而是承担反应区、等离子体源和配套回路的热负荷管理,帮助维持沉积、清洗和表面预处理过程中的温度稳定性。
主要应用领域
| 应用领域 | 典型用途 | 温控作用 |
|---|
| 半导体制造 | SiO₂、SiNₓ、SiON、a-Si等介质层、钝化层、绝缘层沉积;表面预处理、前驱体活化、PEALD辅助沉积 | 稳定基座和反应腔温度,降低低温沉积时的热漂移 |
| 腔室清洁与表面预处理 | CVD/PECVD腔体原位清洁、光刻胶去除、晶圆表面活化、选择性刻蚀辅助 | 为远程等离子体源、气体输运通道和腔体部件提供连续冷却 |
| 化合物半导体 | GaN、SiC、GaAs、GaP、GeSn等材料低温沉积或表面处理 | 降低离子轰击和热冲击风险,维持衬底温度稳定 |
| 光伏电池 | 高效硅电池钝化膜、减反射膜、透明导电层等沉积配套 | 支持低温成膜和批次一致性控制 |
| 显示面板 | TFT阵列、LTPS工艺、OLED相关薄膜沉积与表面预处理 | 维持大面积基板温度均匀性 |
| MEMS与微流控 | 传感器钝化层、微流控通道、聚合物薄膜沉积 | 适配低温、低损伤沉积工艺 |
| 光学与柔性电子 | 光学薄膜、阻隔膜、柔性基板功能层沉积 | 降低热预算,减少基板热损伤 |
| 研发与中试平台 | 低温沉积工艺开发、界面态优化、薄膜应力调控 | 提供可编程升降温和多回路温控支持 |
普泰克 远程等离子体PECVD温控,为什么RPECVD需要精密温控
远程等离子体PECVD将等离子体产生区与工艺腔物理隔离,到达基片表面的主要是中性活性基团,离子轰击较弱,适合低温、低损伤薄膜沉积和表面预处理。但远程等离子体源、微波/射频匹配器、气体输运通道和反应腔仍会产生热负荷;同时RPECVD常用于低温工艺窗口,对基座温度均匀性、升温/回温速度和连续运行稳定性要求较高。普泰克半导体级温控产品控温精度可达 ±0.1℃,温域覆盖 -150℃至350℃,采用全密闭回路、自适应PID控制和程序化曲线控制,能够较好匹配RPECVD工艺需求。
