普泰克 PECVD碳化硅沉积温控，面向 PECVD SiC / a-SiC 薄膜沉积工艺配置的精密温控系统，通常以加热冷却一体机、高低温循环器或TCU形式出现。它不直接完成碳化硅成膜，而是为PECVD机台提供稳定的导热介质，承担反应腔控温、基座恒温、程序升降温、射频/真空部件冷却和整机回路管理。

Name: 普泰克 PECVD碳化硅沉积温控
Brand: proteco/普泰克
Price: 39000 CNY
Availability: InStock

产品型号：

更新时间：2026-10-21

厂商性质：生产厂家

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半导体温控设备

多晶硅沉积温控等离子体增强沉积温度控制高精度PECVD温控气体降温系统半导体工艺过程恒温器压缩机式温控器半导体废气低温冷凝系统精密控温机组液冷设备光刻机用超纯水Chiller Photo/Track Chiller 光刻后蚀刻温控光刻机涂胶显影机温控 Implant气体降温设备离子注入机温控设备纯水供应管线恒温超纯水温度控制单元抛光液生产温控系统蚀刻液温控chiller CMP浆液温控chiller 研磨液设备专用Chiller

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普泰克 PECVD碳化硅沉积温控是面向 PECVD SiC / a-SiC 薄膜沉积工艺配置的精密温控系统，通常以加热冷却一体机、高低温循环器或TCU形式出现。它不直接完成碳化硅成膜，而是为PECVD机台提供稳定的导热介质，承担反应腔控温、基座恒温、程序升降温、射频/真空部件冷却和整机回路管理。

这台设备具体能用在哪里

表格

适用场景	具体用途
PECVD SiC/a-SiC反应腔/腔壁控温	带走等离子体放热和工艺热负荷，维持腔体温度稳定，降低热漂移。
基座/静电吸盘/载台恒温	保持晶圆或样品在沉积阶段温度均匀，提升片内、片间一致性。
低温SiC薄膜沉积配套	适配PECVD低温沉积SiC工艺，为基座、腔体和射频部件提供稳定温控条件。
a-SiC绝缘层/钝化层沉积	用于非晶碳化硅薄膜沉积过程中的温度管理，支持绝缘层、钝化层或保护层制备。
SiC沉积前预热	帮助晶圆在沉积前平稳升至工艺温度，减少冷片入腔造成的初始性能偏差。
沉积后缓冷与应力控制	按设定曲线降温，降低薄膜应力、翘曲或开裂风险。
射频电源、匹配网络与真空系统冷却	维持RF部件、干泵、分子泵等在沉积过程中连续稳定运行。
整机工艺冷却水回路管理	降低厂务水温波动对PECVD设备运行的影响。
研发、中试和产线配套	在SiC沉积工艺窗口筛选、升温速率优化、批次一致性验证阶段提供可复现的温控条件。

普泰克 PECVD碳化硅沉积温控

为什么碳化硅沉积对温控要求较高

PECVD碳化硅沉积的温度范围会因前驱体体系、工艺路线和设备配置而有所不同，部分低温PECVD SiC工艺可在数百摄氏度以内完成，部分体系也可能需要更高温度。由于SiC薄膜的C/Si比例、沉积速率、应力状态、致密性和结晶性对温度较为敏感，基座温度波动或腔壁热漂移都可能影响薄膜均匀性和批次重复性。普泰克半导体级温控产品控温精度可达 ±0.1℃，温域覆盖 -150℃至350℃，采用全密闭回路、自适应PID控制和程序化曲线控制，能够较好匹配PECVD SiC沉积对温度稳定性、响应速度和连续运行的要求。

普泰克 PECVD碳化硅沉积温控