普泰克微波PECVD温控，主要用于为 MPCVD/MW-PECVD/MWECR-PECVD 等微波等离子体沉积设备提供基座、腔体、喷淋头、微波天线、匹配网络及真空系统的加热、冷却和温度管理。它不直接产生微波等离子体，也不直接完成薄膜沉积，而是保障沉积过程中的温度稳定性、工艺重复性和关键部件连续运行。

Name: 普泰克 微波PECVD温控
Brand: proteco/普泰克
Price: 39000 CNY
Availability: InStock

产品型号：

更新时间：2026-10-21

厂商性质：生产厂家

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半导体温控设备

多晶硅沉积温控等离子体增强沉积温度控制高精度PECVD温控气体降温系统半导体工艺过程恒温器压缩机式温控器半导体废气低温冷凝系统精密控温机组液冷设备光刻机用超纯水Chiller Photo/Track Chiller 光刻后蚀刻温控光刻机涂胶显影机温控 Implant气体降温设备离子注入机温控设备纯水供应管线恒温超纯水温度控制单元抛光液生产温控系统蚀刻液温控chiller CMP浆液温控chiller 研磨液设备专用Chiller

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产品介绍

普泰克微波PECVD温控，主要用于为 MPCVD/MW-PECVD/MWECR-PECVD 等微波等离子体沉积设备提供基座、腔体、喷淋头、微波天线、匹配网络及真空系统的加热、冷却和温度管理。它不直接产生微波等离子体，也不直接完成薄膜沉积，而是保障沉积过程中的温度稳定性、工艺重复性和关键部件连续运行。

主要应用领域

表格

应用方向	典型用途
金刚石及超硬薄膜沉积	用于MPCVD制备电子级/光学级金刚石、类金刚石、立方氮化硼等薄膜过程中的基座和腔体温控
化合物半导体薄膜	用于GaN、SiC、AlN等薄膜沉积过程中的反应腔和基座温度管理
先进介质膜沉积	用于MWECR-PECVD低温沉积SiNₓ、SiO₂、SiON等介质层、钝化层配套温控
碳纳米材料制备	用于碳纳米管、石墨烯等微波等离子体沉积过程中的温度管理
柔性基板功能膜沉积	用于PET、PI等柔性基底上SiOₓ、DLC等高阻隔膜沉积配套温控
光伏与光学薄膜	用于减反射膜、钝化膜、透明导电层等微波等离子体沉积工艺温度管理
先进封装与TSV	用于低热预算介电层沉积配套温控，保障粘接晶圆等热敏感结构
研发与中试平台	用于微波等离子体工艺窗口筛选、薄膜应力调控和批次一致性验证

为什么普泰克微波PECVD温控更需要精密温控

微波PECVD通常采用2.45GHz微波激发等离子体，具有等离子体密度高、无电极污染、低温成膜能力强等特点，可用于金刚石、化合物半导体、碳纳米材料等高质量薄膜制备。但微波放电同样会向腔体、天线和基座持续释放热负荷；而许多微波PECVD工艺又属于低温或低热预算工艺，对基座温度均匀性和冷却稳定性要求更高。普泰克半导体级温控产品控温精度可达 ±0.1℃，温域覆盖 -150℃至350℃，采用全密闭回路、自适应PID控制和程序化曲线控制，能够较好匹配微波PECVD对温度稳定性、响应速度和连续运行的要求。

普泰克微波PECVD温控