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普泰克 ICP-PECVD温控系统
产品简介:

普泰克 ICP-PECVD温控系统,面向感应耦合等离子体增强化学气相沉积设备配置的精密温控系统,主要用于为ICP-PECVD机台提供稳定的加热、冷却和温度管理。它不直接产生等离子体,也不直接完成薄膜沉积,而是承担基座、反应腔、喷淋头、ICP天线、匹配网络及真空系统等部件的温度控制,帮助维持沉积过程中的温度稳定性和工艺重复性。

产品型号:

更新时间:2026-10-21

厂商性质:生产厂家

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产品介绍
普泰克 ICP-PECVD温控系统,是面向感应耦合等离子体增强化学气相沉积设备配置的精密温控系统,主要用于为ICP-PECVD机台提供稳定的加热、冷却和温度管理。它不直接产生等离子体,也不直接完成薄膜沉积,而是承担基座、反应腔、喷淋头、ICP天线、匹配网络及真空系统等部件的温度控制,帮助维持沉积过程中的温度稳定性和工艺重复性。

应用领域

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应用方向典型用途
先进逻辑与存储芯片用于SiO₂、SiNₓ、SiON等介质层、钝化层沉积配套温控
化合物半导体用于GaN、SiC、GaAs等器件低温钝化层、绝缘层沉积温控
光电子与MEMS用于光波导、光学薄膜、传感器钝化层及应力层沉积温控
先进封装与TSV用于TSV介电层、封装钝化层等低温沉积工艺温度管理
柔性电子与有机电子用于低温成膜、柔性基板保护及功能层沉积配套温控
研发与中试平台用于工艺窗口筛选、薄膜应力调控和批次一致性验证

为什么ICP-PECVD更依赖精密温控

ICP-PECVD通过感应耦合方式产生高密度等离子体,等离子体密度通常比常规PECVD高1~2个数量级,可在室温至400℃甚至更低温度下沉积高质量薄膜。 高密度等离子体在带来良好成膜质量的同时,也会向腔体、喷淋头和基座释放更多热负荷;而ICP-PECVD常用于低损伤、低温成膜工艺,对基座温度均匀性和冷却稳定性要求更高。 温控系统需要能够及时补偿等离子体放热带来的温度波动,并支持沉积前预热、沉积恒温、沉积后缓冷等工艺阶段。

普泰克 ICP-PECVD温控系统,主要功能

  • 基座/静电吸盘恒温控制:维持晶圆在沉积过程中的温度稳定,提升片内、片间一致性。

  • 反应腔与喷淋头控温:带走ICP等离子体放热和工艺热负荷,降低腔体热漂移。

  • ICP天线与匹配网络冷却:为ICP电源、天线、匹配器提供连续冷却,保障长时间运行稳定性。

  • 真空系统冷却:支持干泵、分子泵、真空阀门等部件稳定运行。

  • 程序升降温管理:可按工艺需求完成预热、恒温、缓冷等温度曲线控制。

  • 整机回路管理:通过流量、压力、温度等参数监控,提升工艺过程可复现性。

普泰克 ICP-PECVD温控系统


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