普泰克高密度等离子体PECVD温控

产品简介：

普泰克高密度等离子体PECVD温控，主要用于为 HDPCVD / HDP-PECVD 设备提供基座/静电吸盘、反应腔、喷淋头、ICP线圈、CCP偏置电极、匹配网络及真空系统的加热、冷却和温度管理。它不直接完成薄膜沉积，也不产生高密度等离子体，而是承担设备热负荷管理，保障沉积和刻蚀协同过程中的温度稳定性和工艺重复性。

Name: 普泰克 高密度等离子体PECVD温控
Brand: proteco/普泰克
Price: 39000 CNY
Availability: InStock

产品型号：

更新时间：2026-10-21

厂商性质：生产厂家

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半导体温控设备

多晶硅沉积温控等离子体增强沉积温度控制高精度PECVD温控气体降温系统半导体工艺过程恒温器压缩机式温控器半导体废气低温冷凝系统精密控温机组液冷设备光刻机用超纯水Chiller Photo/Track Chiller 光刻后蚀刻温控光刻机涂胶显影机温控 Implant气体降温设备离子注入机温控设备纯水供应管线恒温超纯水温度控制单元抛光液生产温控系统蚀刻液温控chiller CMP浆液温控chiller 研磨液设备专用Chiller

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产品介绍

普泰克高密度等离子体PECVD温控，主要用于为 HDPCVD / HDP-PECVD 设备提供基座/静电吸盘、反应腔、喷淋头、ICP线圈、CCP偏置电极、匹配网络及真空系统的加热、冷却和温度管理。它不直接完成薄膜沉积，也不产生高密度等离子体，而是承担设备热负荷管理，保障沉积和刻蚀协同过程中的温度稳定性和工艺重复性。

具体能干什么

表格

功能模块	具体作用
基座/静电吸盘恒温	维持晶圆在沉积/刻蚀协同过程中的温度稳定，减少片内和片间差异
反应腔与喷淋头控温	带走高密度等离子体放热和工艺热负荷，降低腔体热漂移
ICP/CCP射频部件冷却	为ICP线圈、CCP偏置电极、匹配网络提供连续冷却，保障长时间稳定运行
背面氦气冷却回路配套	配合ESC背面He冷却系统，提升基座温度均匀性和热响应能力
真空系统冷却	为干泵、分子泵、真空阀门等部件提供稳定冷却，支持连续生产
程序升降温管理	按工艺曲线完成预热、恒温、缓冷，降低薄膜应力和基板热冲击风险
沉积-刻蚀协同热补偿	针对HDPCVD沉积与溅射同步进行的特点，及时补偿功率切换带来的温度波动
整机回路管理	通过温度、流量、压力等参数监控，提升批次工艺可复现性

普泰克高密度等离子体PECVD温控，为什么HDPCVD更强调温控能力

HDPCVD通常采用ICP+CCP复合等离子体源，等离子体密度可达 10¹¹~10¹² ions/cm³，比普通PECVD高1~2个数量级，能够在较低温度下实现高深宽比沟槽和通孔填充。但高密度等离子体轰击和射频偏置会带来更高热负荷，工艺温度通常控制在 <v>**<v>300~400℃，部分工艺可放宽至 500℃** 左右。同时，HDPCVD需要在沉积和溅射之间动态调节，功率切换频繁，对基座温度均匀性、冷却响应速度和连续运行稳定性要求更高。

普泰克半导体级温控产品控温精度可达 ±0.1℃，温域覆盖 -150℃至350℃，采用全密闭回路、自适应PID控制和程序化曲线控制，能够较好匹配HDPCVD对温度稳定性、快速热响应和连续运行的要求。

普泰克高密度等离子体PECVD温控

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